L6385D013TR、L6385ED013TR、L6385ED对比区别

高亮显示差异参数

型号 L6385D013TR L6385ED013TR L6385ED

描述 门驱动器 Hi-Volt Hi-Low SideL6385 系列 单 400 mA 125 Ω 高压 高压侧和低压侧 驱动器 - SOIC-8STMICROELECTRONICS  L6385ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, -0.3V至17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

频率 - 400 kHz 400 kHz

电源电压(DC) 17.0V (max) - -300 mV (min)

额定功率 - 750 mW 750 mW

上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 - 580 V 580 V

输出电流 - 400 mA 400 mA

通道数 - 2 2

针脚数 - 8 8

耗散功率 750 mW 0.75 W 750 mW

上升时间 50 ns 50 ns 50 ns

下降时间 30 ns 30 ns 30 ns

下降时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns

上升时间(Max) 50 ns 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -45 ℃ -40 ℃ -45 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

电源电压 17 V 17 V 17 V

电源电压(Max) - 17 V 17 V

电源电压(Min) - - 0.3 V

输出电流(Max) - 0.65 A -

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.25 mm - 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -