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IXFH69N30P、IXFT69N30P、IXTT69N30P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH69N30P IXFT69N30P IXTT69N30P

描述 N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Trans MOSFET N-CH 300V 69A 3Pin(2+Tab) TO-268TO-268 N-CH 300V 69A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-268-3

极性 - - N-CH

耗散功率 500W (Tc) 500 W 500W (Tc)

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

连续漏极电流(Ids) - - 69A

上升时间 25 ns 25 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 4960pF @25V(Vds) 4960pF @25V(Vds) 4960pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 500 W 500 W

下降时间 27 ns 27 ns 27 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500W (Tc) 500W (Tc) 500W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 49 mΩ -

漏源击穿电压 - 300 V -

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-268-3

长度 16.26 mm - -

宽度 5.3 mm - -

高度 21.46 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free