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1N4714C-BP、JANTX1N5546C-1、1N5546C-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4714C-BP JANTX1N5546C-1 1N5546C-1

描述 DO-35 33V 0.5W(1/2W)无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWZener Diode, 33V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Microsemi (美高森美) Cobham plc (科巴姆)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-204AH -

容差 - ±2 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

稳压值 33 V 33 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

耗散功率 500 mW - -

封装 DO-35 DO-204AH -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 End of Life Active Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 - -