STP7NK80Z、STP9NK70Z、FQP7N80对比区别

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型号 STP7NK80Z STP9NK70Z FQP7N80

描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STP9NK70Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 800 V 700 V 800 V

额定电流 5.20 A 7.50 A 6.60 A

漏源极电阻 1.8 Ω 1 Ω 1.50 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 115 W 167 W

漏源极电压(Vds) 800 V 700 V 800 V

漏源击穿电压 800 V 700 V 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.20 A 4.00 A 6.60 A

输入电容(Ciss) 1138pF @25V(Vds) 1370pF @25V(Vds) 1850pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 125 W 115 W 167 W

耗散功率(Max) 125000 mW 115W (Tc) 167W (Tc)

针脚数 3 3 -

阈值电压 3.75 V 3.75 V -

上升时间 12 ns 17 ns -

下降时间 20 ns 13 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定功率 125 W - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 4.6 mm 4.6 mm -

高度 9.15 mm 16.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99