IXTA2N100、IXTY2N100P、IXTA2N100P对比区别

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型号 IXTA2N100 IXTY2N100P IXTA2N100P

描述 TO-263AA N-CH 1000V 2ADPAK N-CH 1000V 2AMOSFET N-CH 1000V 2A TO-263

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

引脚数 - 3 -

耗散功率 100W (Tc) 86W (Tc) 86 W

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

输入电容(Ciss) 825pF @25V(Vds) 655pF @25V(Vds) 655pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 100W (Tc) 86W (Tc) 86W (Tc)

极性 N-CH N-CH -

连续漏极电流(Ids) 2A 2A -

上升时间 - 29 ns -

下降时间 - 27 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free