STB75N20、STB75NF20、STB75N20T4对比区别

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型号 STB75N20 STB75NF20 STB75N20T4

描述 N沟道200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO- 220 - TO- 247低栅极电荷的STripFET ？功率MOSFET N-channel 200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247 Low gate charge STripFET? Power MOSFETN 通道 STripFET™，STMicroelectronicsN沟道200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO- 220 - TO- 247低栅极电荷的STripFET ？功率MOSFET N-channel 200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247 Low gate charge STripFET? Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 75.0 A - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 34 mΩ 0.028 Ω -

耗散功率 190 W 190 W -

输入电容 3.17 nF - -

栅电荷 90.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

漏源击穿电压 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 47.0 A, 75.0 A -

上升时间 33 ns 33 ns -

输入电容(Ciss) 3260pF @25V(Vds) 3260pF @25V(Vds) -

下降时间 29 ns 29 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -50 ℃ -

耗散功率(Max) 190W (Tc) 190W (Tc) -

针脚数 - 3 -

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 3 V -

额定功率(Max) - 190 W -

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 9.35 mm 9.35 mm -

高度 4.6 mm 4.6 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

工作温度 -50℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -