锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BZT52H-B4V3、BZT52H-B4V3,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52H-B4V3 BZT52H-B4V3,115

描述 Zener DiodeSOD-123F 4.3V 830mW

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - -

封装 - SOD-123F

容差 - ±2 %

针脚数 - -

正向电压 - 900mV @10mA

耗散功率 - 830 mW

测试电流 - 5 mA

稳压值 - 4.3 V

额定功率(Max) - 375 mW

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

正向电压(Max) - 900mV @10mA

耗散功率(Max) - 830 mW

封装 - SOD-123F

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

温度系数 - -1.75 mV/K

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free