ADR420BRZ、ADR430ARZ-REEL7、ADR420BRZ-REEL7对比区别

高亮显示差异参数

型号 ADR420BRZ ADR430ARZ-REEL7 ADR420BRZ-REEL7

描述 ANALOG DEVICES  ADR420BRZ  电压基准, 超高精密, 低噪, 系列 - 固定, ADR420系列, 2.048V, NSOIC-8超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability超精密，低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 500 µA - -

容差 ±0.05 % ±0.15 % ±0.05 %

输入电压(DC) 4.00V ~ 18.0V 20.0V (max) 18.0V (max)

输出电压 2.048 V 2.048 V 2.048 V

输出电流 10 mA 30 mA 10 mA

供电电流 600 µA 800 µA 600 µA

通道数 1 1 1

针脚数 8 - -

输入电压(Max) 18 V 20 V 18 V

输入电压(Min) 4 V - -

输出电压(Max) 2.049 V - 2.048 V

输出电压(Min) 2.048 V 2.048 V 2.048 V

输出电流(Max) 10 mA 30 mA 10 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

精度 ±0.05 % ±0.15 % ±0.05 %

输入电压 4V ~ 18V 4.1V ~ 18V 4V ~ 18V

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TA)

温度系数 ±1 ppm/℃ ±10 ppm/℃ ±3 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99