BSZ22DN20NS3GATMA1、BUZ31H3046XKSA1、BSZ42DN25NS3GATMA1对比区别

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型号 BSZ22DN20NS3GATMA1 BUZ31H3046XKSA1 BSZ42DN25NS3GATMA1

描述 INFINEON  BSZ22DN20NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.194 ohm, 10 V, 3 VInfineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON  BSZ42DN25NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 250 V, 0.371 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 3 8

封装 TSDSON-8 TO-262-3 TSDSON-8

额定功率 34 W 95 W 33.8 W

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.194 Ω 200 mΩ 0.371 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 34 W 95 W 33.8 W

阈值电压 3 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 7A 14.5A 5A

上升时间 4 ns 50 ns 2 ns

输入电容(Ciss) 320pF @100V(Vds) 840pF @25V(Vds) 320pF @100V(Vds)

下降时间 3 ns 60 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 34000 mW 95W (Tc) 33800 mW

通道数 - 1 1

漏源击穿电压 - 200 V 250 V

长度 3.3 mm 10.36 mm 3.3 mm

宽度 3.3 mm 4.52 mm 3.3 mm

高度 1.1 mm 9.45 mm 1.1 mm

封装 TSDSON-8 TO-262-3 TSDSON-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17