HGTG20N60A4、STGW35NB60SD、HGTG20N60A4D对比区别

高亮显示差异参数

型号 HGTG20N60A4 STGW35NB60SD HGTG20N60A4D

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG20N60A4  单晶体管, IGBT, 通用, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚STMICROELECTRONICS  STGW35NB60SD  单晶体管, IGBT, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG20N60A4D  单晶体管, IGBT, 通用, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 70.0 A 35.0 A 70.0 A

额定功率 - - 190 W

针脚数 3 3 3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 290 W 200 W 290 W

上升时间 12.0 ns 70 ns 12 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 - 44 ns 35 ns

额定功率(Max) 290 W 200 W 290 W

下降时间 - - 32 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 290000 mW 200 W 290000 mW

漏源极电压(Vds) - 600 V -

连续漏极电流(Ids) - 70.0 A -

长度 15.87 mm 15.75 mm 15.87 mm

宽度 4.82 mm 5.15 mm 4.82 mm

高度 20.82 mm 20.15 mm 20.82 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99