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MT29F8G16ABBCAH4:C、MT29F8G16ABACAH4:C、MT29F8G16ABBCAH4:C TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT29F8G16ABBCAH4:C MT29F8G16ABACAH4:C MT29F8G16ABBCAH4:C TR

描述 SLC NAND Flash Parallel 1.8V 8Gbit 512M x 16Bit 63Pin VFBGASLC NAND Flash Parallel 3.3V 8Gbit 512M x 16Bit 63Pin VFBGAIC FLASH 8GBIT VFBGA

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 Flash芯片Flash芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 VFBGA-63 VFBGA-63 VFBGA-63

引脚数 63 - -

电源电压 1.7V ~ 1.95V 2.7V ~ 3.6V 1.7V ~ 1.95V

工作电压 1.80 V 3.30 V -

内存容量 1000000000 B 1000000000 B -

供电电流 20 mA - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

封装 VFBGA-63 VFBGA-63 VFBGA-63

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free