FCB36N60NTM、STB42N65M5、FCP36N60N对比区别

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型号 FCB36N60NTM STB42N65M5 FCP36N60N

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCB36N60NTM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 600 V, 0.081 ohm, 10 V, 2 VSTMICROELECTRONICS  STB42N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 VSupreMOS® MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3

漏源极电阻 0.081 Ω 0.07 Ω 0.081 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 312 W 190 W 312 W

阈值电压 2 V 4 V 2 V

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 36A 33A 36A

上升时间 22 ns 24 ns 22 ns

输入电容(Ciss) 4785pF @100V(Vds) 4650pF @100V(Vds) 4785pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 312 W 190 W 312 W

下降时间 4 ns 13 ns 4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 312W (Tc) 190W (Tc) 312W (Tc)

针脚数 3 3 -

通道数 1 - -

漏源击穿电压 600 V - -

长度 10.67 mm 10.75 mm 10.67 mm

宽度 9.65 mm 10.4 mm 4.83 mm

高度 4.83 mm 4.6 mm 16.51 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15