IPB083N10N3G、IPB08CN10NG对比区别

高亮显示差异参数

型号 IPB083N10N3G IPB08CN10NG

描述 OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)的OptiMOS ™ 2电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOS™2 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4

封装 TO-263-2 D2PAK

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 167 W

上升时间 42 ns -

输入电容(Ciss) 2990pF @50V(Vds) -

下降时间 8 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 125000 mW -

封装 TO-263-2 D2PAK

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC