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AD8610AR-REEL、AD8610AR-REEL7、AD8610ARZ-REEL7对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD8610AR-REEL AD8610AR-REEL7 AD8610ARZ-REEL7

描述 精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifier精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifier精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifier

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 3 mA 3 mA 3 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

共模抑制比 110 dB 110 dB 110 dB

输入电容 15.0 pF 15.0 pF 15.0 pF

转换速率 60.0 V/μs 60.0 V/μs 50.0 V/μs

增益频宽积 25 MHz 25 MHz 25 MHz

输入阻抗 1.00 TΩ 1.00 TΩ 1.00 TΩ

输入补偿电压 85 µV 85 µV 85 µV

输入偏置电流 3 pA 3 pA 3 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 25 MHz 25 MHz 25 MHz

共模抑制比(Min) - - 90 dB

电源电压(Max) 27 V - 27 V

电源电压(Min) 10 V - 10 V

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

军工级 No No No