IPD038N04NG、IPD90N04S4L-04、NP90N04VUG-E1-AY对比区别

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型号 IPD038N04NG IPD90N04S4L-04 NP90N04VUG-E1-AY

描述 OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-TransistorDPAK N-CH 60V 90A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 94.0 W 71 W 1.2W (Ta), 105W (Tc)

通道数 - 1 -

阈值电压 - 1.2 V -

漏源极电压(Vds) - 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) - 90A 90A

上升时间 - 11 ns 20 ns

输入电容(Ciss) - 4690pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 71 W 1.2 W

下降时间 - 28 ns 11 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 71000 mW 1.2W (Ta), 105W (Tc)

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.3 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 -