IRF540、STD70N10F4、RFP22N10对比区别

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型号 IRF540 STD70N10F4 RFP22N10

描述 N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO- 220 / TO- 220FI功率MOSFET N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFETN沟道100 V， 0.015 I© ， 60 A ， STripFETâ ?? ¢ DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用TO- 220 ， DPAK ， TO- 247 ， D2PAK N-channel 100 V, 0.015 Ω, 60 A, STripFET™ DeepGATE™ Power MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAK22A ， 100V ， 0.080 Ohm的N通道功率MOSFET 22A, 100V, 0.080 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 22.0 A - 22.0 A

漏源极电阻 49.0 mΩ 0.015 Ω 80.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 85W (Tc) 125 W 100W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 22.0 A - 22.0 A

上升时间 45 ns 20 ns -

输入电容(Ciss) 870pF @25V(Vds) 5800pF @25V(Vds) -

下降时间 20 ns 20 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 85W (Tc) 125W (Tc) 100W (Tc)

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 4 V -

正向电压(Max) - 1.5 V -

额定功率(Max) - 125 W -

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99