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BCY79-IX、BCY79/IX对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCY79-IX BCY79/IX

描述 TO-18 PNP 45V 0.1ATO-18 PNP 45V 0.1A

数据手册 --

制造商 Central Semiconductor NXP (恩智浦)

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-18 TO-18

极性 PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 1 W -

封装 TO-18 TO-18

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free -