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APT10045JFLL、APT10045JLL、APT10050JN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT10045JFLL APT10045JLL APT10050JN

描述 MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227Trans MOSFET N-CH 1kV 21A 4Pin SOT-227SOT-227 N-CH 1000V 20.5A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw -

引脚数 4 4 -

封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV -

额定电流 21.0 A 21.0 A -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 450 mΩ -

耗散功率 - 460 W -

阈值电压 - 3 V -

输入电容 4.35 nF 4.35 nF -

栅电荷 154 nC 154 nC -

漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1000 V 1000 V

漏源击穿电压 - 1 kV -

连续漏极电流(Ids) 21.0 A 21.0 A 20.5A

上升时间 5 ns 5 ns -

输入电容(Ciss) 4350pF @25V(Vds) 4350pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 460 W -

下降时间 8 ns 8 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 460000 mW 460W (Tc) -

极性 - - N-CH

长度 - 38.2 mm -

宽度 - 25.4 mm -

高度 - 9.6 mm -

封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -