IS61WV5128BLL-10TLI、IS64WV5128BLL-10CTLA3、IS61WV5128EDBLL-10TLI对比区别

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型号 IS61WV5128BLL-10TLI IS64WV5128BLL-10CTLA3 IS61WV5128EDBLL-10TLI

描述 RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns 32Pin TSOP-IISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44Pin TSOP-II

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 44 32 44

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

针脚数 44 - -

位数 8 8 8

存取时间 10 ns 10 ns 10 ns

存取时间(Max) 10 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.4V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 2.4 V

长度 18.54 mm - -

宽度 10.29 mm - -

高度 1.05 mm - -

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99