锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IS42SM32400G-6BLI、IS42SM32400H-6BLI、MT48LC4M32B2B5-6:G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42SM32400G-6BLI IS42SM32400H-6BLI MT48LC4M32B2B5-6:G

描述 DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 4M x 32 3.3V 90Pin TFBGA128m, 3.3V, Mobile Sdram, 4mx32, 166MHz, 90 Ball Bga (8mmx13mm) Rohs, ItDRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90Pin VFBGA Tray

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90 90

封装 BGA-90 BGA-90 VFBGA-90

供电电流 - 85 mA -

位数 32 32 32

存取时间 - 5.5 ns 167 µs

存取时间(Max) 8ns, 5.5ns 6 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 - - 166MHz (max)

内存容量 - - 128000000 B

封装 BGA-90 BGA-90 VFBGA-90

高度 - - 0.65 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free