CY62147EV30LL-45BVXI、CY62147G30-45BVXI、IS62WV25616BLL-55BLI对比区别

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型号 CY62147EV30LL-45BVXI CY62147G30-45BVXI IS62WV25616BLL-55BLI

描述 4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM宽电压范围： 2.20 V至3.60 V 4-Mbit (256K x 16) Static RAM Wide voltage range: 2.20 V to 3.60 VCY62147G30 系列 4 Mb (256 K x 16) 2.2 V 45 ns CMOS 静态 RAM - VFBGA-48静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 BGA-48

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 20 mA - -

针脚数 48 - -

时钟频率 45.0 GHz - -

位数 16 16 16

存取时间 45 ns 45 ns 55 ns

内存容量 500000 B - 4000000 B

存取时间(Max) 45 ns 45 ns 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 2.5 V

长度 8 mm - -

宽度 6 mm - -

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 BGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 3A991.b.2.a - EAR99