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AD712JR、TL082BIYDT、AD712JRZ对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD712JR TL082BIYDT AD712JRZ

描述 双路精密,低成本,高速, BiFET运算放大器 Dual Precision, Low Cost, High Speed, BiFET Op Amp通用JFET双通道运算放大器 General purpose JFET dual operational amplifiersANALOG DEVICES  AD712JRZ  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 16 V/µs, ± 4.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ST Microelectronics (意法半导体) ADI (亚德诺)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 15.0 V

供电电流 5 mA 1.4 mA 5 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 - 2

针脚数 - - 8

共模抑制比 70 dB - 70 dB

输入电容 5.50 pF - 5.50 pF

带宽 4.00 MHz - 3 MHz

转换速率 20.0 µV/μs - 16.0 V/μs

增益频宽积 4.00 MHz 4 MHz 3 MHz

输入阻抗 3.00 TΩ - 3.00 TΩ

输入补偿电压 300 µV 1000 µV 300 µV

输入偏置电流 25 pA 20 pA 25 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 105 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

3dB带宽 4 MHz - 4 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB 80 dB 70 dB

输出电流 - 40 mA -

耗散功率 - 680 mW -

增益带宽 - 4 MHz -

耗散功率(Max) - 680 mW -

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

军工级 Yes - Yes

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -