锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

1N3015、JAN1N3015B、1N3015R对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N3015 JAN1N3015B 1N3015R

描述 Zener Diode; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 20; Max TMS Bridge Input Voltage: 10; Max DC Reverse Voltage: 30010瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Digitron Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

封装 - DO-4 DO-4

引脚数 - 2 -

耗散功率 - 10 W 10 W

稳压值 - 200 V 200 V

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.5V @2A -

测试电流 - 12 mA -

额定功率(Max) - 10 W -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 - DO-4 DO-4

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tray -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -