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40100C、VB40100C-E3/8W对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 40100C VB40100C-E3/8W

描述 DIODE 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier DiodeTMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管阵列

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 D2PAK TO-263-3

正向电压 - 730mV @20A

正向电流 - 20 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 250 A

正向电压(Max) - 730mV @20A

正向电流(Max) - 40 A

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

工作结温 - -40℃ ~ 150℃

长度 - 10.45 mm

宽度 - 9.14 mm

高度 - 4.83 mm

封装 D2PAK TO-263-3

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free