NTD25P03LT4、NTD25P03LT4G、NTD25P03L1G对比区别

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型号 NTD25P03LT4 NTD25P03LT4G NTD25P03L1G

描述 功率MOSFET -25安培，伏特-30 Power MOSFET -25 Amp, -30 VoltON SEMICONDUCTOR  NTD25P03LT4G  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 25A, D-PAK-25A,-30V功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V

额定电流 -25.0 A -25.0 A -25.0 A

漏源极电阻 51.0 mΩ 0.056 Ω 51 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 75 W 75 W 75 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

栅源击穿电压 ±15.0 V ±15.0 V ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 25.0 A 25.0 A 25.0 A

上升时间 37 ns 37 ns 37 ns

输入电容(Ciss) 1260pF @25V(Vds) 1260pF @25V(Vds) 1260pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 75 W 75 W 75 W

下降时间 16 ns 16 ns 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 75 W 75 W 75 W

额定功率 - - 75 W

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 30 V

针脚数 - 3 -

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 2.38 mm

高度 2.38 mm 2.38 mm 6.35 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99