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PBSS302NX、PBSS302NX,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS302NX PBSS302NX,115

描述 Small Signal Bipolar TransistorNXP  PBSS302NX,115  单晶体管 双极, NPN, 20 V, 140 MHz, 600 mW, 5.3 A, 570 hFE

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 - SOT-89-3

频率 - 140 MHz

额定功率 - -

针脚数 - 3

耗散功率 - 600 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 20 V

最小电流放大倍数(hFE) - 250 @2A, 2V

额定功率(Max) - 2.1 W

直流电流增益(hFE) - 570

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -

耗散功率(Max) - 2100 mW

极性 - NPN

集电极最大允许电流 - 5.3A

封装 - SOT-89-3

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - -