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FR306、HER307G、GI858-E3/73对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FR306 HER307G GI858-E3/73

描述 Diode Switching 800V 3A 2Pin DO-201ADTAIWAN SEMICONDUCTOR  HER307G  快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 125 A整流器 800 Volt 3.0A 200ns 100 Amp IFSM

数据手册 ---

制造商 EIC Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Semiconductor (威世)

分类 功率二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 -

封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AD

正向电压 - 1.70 V 1.25V @3A

反向恢复时间 500 ns 75 ns 200 ns

正向电流 - 3 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 125 A -

正向电压(Max) - 1.7 V 1.25V @3A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -50 ℃

高度 - 9.50 mm 5.3 mm

封装 DO-201AD DO-201AD DO-201AD

长度 - - 9.5 mm

宽度 - - 5.3 mm

重量 - 1.12 g -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Each Tape & Box (TB)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

含铅标准 - - Lead Free