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BST15、BST15TA、BST16TC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BST15 BST15TA BST16TC

描述 PNP型高压晶体管 PNP high-voltage transistorsTRANS PNP 200V 0.5A SOT-89Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-89 SOT-89-3 -

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 200 V 200 V -

集电极最大允许电流 0.2A 0.5A -

额定电压(DC) - -200 V -

额定电流 - -500 mA -

耗散功率 - 1000 mW -

增益频宽积 - 15 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 30 @50mA, 10V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

封装 SOT-89 SOT-89-3 -

长度 - 4.6 mm -

宽度 - 2.6 mm -

高度 - 1.6 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -