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TS652ID、TS652IDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TS652ID TS652IDT

描述 差分可变增益放大器 DIFFERENTIAL VARIABLE GAIN AMPLIFIER可变增益放大器

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SO-14 SO-14

供电电流 28 mA 28 mA

电路数 2 2

3dB带宽 110 MHz 110 MHz

通道数 2 -

工作温度(Max) 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

电源电压(Max) 12 V -

电源电压(Min) 5 V -

封装 SO-14 SO-14

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free