FQB12N60C、FQB12N60TM、FQB12N60TM_AM002对比区别

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型号 FQB12N60C FQB12N60TM FQB12N60TM_AM002

描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETN沟道 600V 10.5ATrans MOSFET N-CH 600V 10.5A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 - - Surface Mount

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 10.5 A

漏源极电阻 - - 700 mΩ

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 - 3.13 W 3.13W (Ta), 180W (Tc)

输入电容 - - 1.90 nF

栅电荷 - - 54.0 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 - - 600 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 12A 10.5A 10.5 A

输入电容(Ciss) - - 1900pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - - 3.13W (Ta), 180W (Tc)

上升时间 - 115 ns -

下降时间 - 85 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 9.65 mm -

高度 - 4.83 mm -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - - Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free