2N3019、JANTX2N3019S对比区别

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型号 2N3019 JANTX2N3019S

描述 NTE ELECTRONICS  2N3019  收发器芯片, NPN, 前置放大器驱动器低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-39 TO-39-3

针脚数 3 -

极性 NPN -

耗散功率 800 mW 800 mW

直流电流增益(hFE) 300 -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V

最小电流放大倍数(hFE) - 50 @500mA, 10V

额定功率(Max) - 800 mW

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 800 mW

频率 - -

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

增益频宽积 - -

集电极击穿电压 - -

最大电流放大倍数(hFE) - -

封装 TO-39 TO-39-3

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

军工级 - Yes

REACH SVHC标准 - -

REACH SVHC版本 - -

材质 - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

ECCN代码 - -