MRFE6P3300HR3、MRFE6S9160HSR3、MRFE6P3300HR5对比区别

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型号 MRFE6P3300HR3 MRFE6S9160HSR3 MRFE6P3300HR5

描述 RF Power Transistor,470 to 860MHz, 300W, Typ Gain in dB is 20.4 @ 860MHz, 32V, LDMOS, SOT1856RF Power Transistor,865 to 960MHz, 160W, Typ Gain in dB is 21 @ 880MHz, 28V, LDMOS, SOT1793FET RF 66V 863MHz NI-860C3

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管晶体管

安装方式 Screw Surface Mount -

引脚数 5 3 5

封装 NI-860C3 NI-780S NI-860C3

频率 857MHz ~ 863MHz 880 MHz 857MHz ~ 863MHz

额定电流 10 µA 10 µA -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

输出功率 270 W 35 W 270 W

增益 20.4 dB 21 dB 20.4 dB

测试电流 1.6 A 1.2 A 1.6 A

输入电容(Ciss) 106pF @32V(Vds) - 106pF @32V(Vds)

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压 66 V 66 V 66 V

电源电压 32 V 28 V -

封装 NI-860C3 NI-780S NI-860C3

工作温度 -65℃ ~ 225℃ -65℃ ~ 225℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -