AT-42000-GP4、NE85600对比区别

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型号 AT-42000-GP4 NE85600

描述 Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Chip TrayNPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 AVAGO Technologies (安华高科) California Eastern Laboratories

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount -

引脚数 2 -

封装 12mm x 12mm x 6mm -

频率 9000 MHz -

极性 NPN -

耗散功率 600 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 12 V -

增益 10.5dB ~ 14dB -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @35mA, 8V -

额定功率(Max) 600 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

封装 12mm x 12mm x 6mm -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 -