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DPG30C200HB、VS-30ETH06PBF、DPG30C200PB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DPG30C200HB VS-30ETH06PBF DPG30C200PB

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  DPG30C200HB  快速/超快二极管, 外延二极管(FRED), 双共阴极, 200 V, 15 A, 1 V, 35 ns, 150 AVISHAY  VS-30ETH06PBF  快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 30 A, 2.1 V, 40 ns, 200 AIXYS SEMICONDUCTOR  DPG30C200PB  快速/超快二极管, 外延二极管(FRED), 双共阴极, 200 V, 15 A, 1 V, 35 ns, 150 A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor Vishay Semiconductor (威世) IXYS Semiconductor

分类 二极管阵列功率二极管二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 2 3

封装 TO-247-3 TO-220-2 TO-220-3

正向电压 1.25V @15A 2.6V @30A 1.26V @15A

反向恢复时间 35 ns 35 ns 35 ns

正向电流 15 A 30 A 15 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 150 A 200 A 150 A

正向电压(Max) 1 V 2.1 V 1 V

正向电流(Max) 30 A 30 A 15 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

工作结温 - -65℃ ~ 175℃ -

耗散功率(Max) 90000 mW - 90000 mW

耗散功率 90000 mW - -

长度 - 8.89 mm -

宽度 5.3 mm 4.65 mm -

高度 - 9.02 mm -

封装 TO-247-3 TO-220-2 TO-220-3

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -