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PIC16F818T-E/SO、PIC16F818T-I/SO、PIC16F818-E/SO对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC16F818T-E/SO PIC16F818T-I/SO PIC16F818-E/SO

描述 二十零分之一十八引脚增强型闪存微控制器采用纳瓦技术 18/20-Pin Enhanced Flash Microcontrollers with nanoWatt TechnologyPIC16 系列 128 B RAM 1792 B 闪存 增强型闪存 微控制器 - SOIC-18二十零分之一十八引脚增强型闪存微控制器采用纳瓦技术 18/20-Pin Enhanced Flash Microcontrollers with nanoWatt Technology

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 18 18 18

封装 SOIC-18 SOIC-18 SOIC-18

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 20.0MHz (max) 20.0MHz (max) 20.0MHz (max)

RAM大小 128 B 128 B 128 B

位数 8 8 8

耗散功率 1000 mW 1000 mW 1000 mW

I/O引脚数 16 16 16

存取时间 20.0 µs 20.0 µs 20.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

内核子架构 PIC16 PIC16 PIC16

模数转换数(ADC) 1 1 1

工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4 V 4 V 4 V

频率 - - 20 MHz

针脚数 - 18 -

FLASH内存容量 - 1.75 KB -

输入/输出数 - 16 Input -

电源电压 - 2V ~ 5.5V -

宽度 7.49 mm 7.49 mm 7.49 mm

封装 SOIC-18 SOIC-18 SOIC-18

长度 - 11.53 mm -

高度 - 2.31 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

HTS代码 - - 8542310001