IRFZ46NL、IRFZ46NLPBF、AUIRFZ46NL对比区别

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型号 IRFZ46NL IRFZ46NLPBF AUIRFZ46NL

描述 TO-262 N-CH 55V 53AINFINEON  IRFZ46NLPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 55 V, 0.0165 ohm, 10 V, 4 V 新N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

额定功率 - 120 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0165 Ω 16.5 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 3.8W (Ta), 107W (Tc) 107 W 120 W

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 53A 53A 53A

上升时间 - 76 ns 76 ns

输入电容(Ciss) 1696pF @25V(Vds) 1696pF @25V(Vds) 1696pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.8 W -

下降时间 - 57 ns 57 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 107W (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc)

漏源击穿电压 - - 55 V

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 4.83 mm

高度 - - 9.65 mm

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -