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BC33725BU、BC337G、BC337-025G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC33725BU BC337G BC337-025G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC33725BU  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 625 mW, 800 mA, 100 hFEON SEMICONDUCTOR  BC337G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 630 hFENPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

频率 100 MHz 210 MHz 210 MHz

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 45.0 V

额定电流 800 mA 800 mA 800 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 625 mW 625 mW 0.625 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

针脚数 3 3 -

增益频宽积 - 210 MHz -

直流电流增益(hFE) 100 630 -

长度 4.58 mm 5.2 mm 5.2 mm

宽度 3.86 mm 4.19 mm 4.19 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99