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IXFT52N50P2、IXTQ480P2、IXFH52N50P2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFT52N50P2 IXTQ480P2 IXFH52N50P2

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 52A 3Pin(2+Tab) TO-268N沟道 500V 52AN沟道 500V 52A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-268-3 TO-3-3 TO-247-3

耗散功率 960W (Tc) 960 W 960W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

上升时间 10 ns 11 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 6800pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds)

下降时间 8 ns 8 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 960W (Tc) 960W (Tc) 960W (Tc)

极性 - N-CH N-CH

连续漏极电流(Ids) - 52A 52A

通道数 - 1 -

封装 TO-268-3 TO-3-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free