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CY7C1414AV18-250BZXC、CY7C1414JV18-250BZXC、CY7C1414AV18-250BZC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1414AV18-250BZXC CY7C1414JV18-250BZXC CY7C1414AV18-250BZC

描述 36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 - - 165

封装 BGA FBGA-165 FBGA-165

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

位数 - - 36

存取时间(Max) - - 0.45 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压 - 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

高度 - - 0.89 mm

封装 BGA FBGA-165 FBGA-165

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free