MS1004、SD1728、HF250-50对比区别
描述 10安培肖特基势垒整流器 10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONSRF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.55INCH, FM-4
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) Advanced Semiconductor
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Chassis Surface Mount -
引脚数 - 5 -
封装 TO-220 M-177 -
额定电压(DC) - 110 V -
额定电流 - 40.0 A -
极性 - NPN -
耗散功率 - 330 W -
输出功率 - 200 W -
击穿电压(集电极-发射极) 55 V 55 V -
增益 14.5 dB 15dB ~ 17dB -
最小电流放大倍数(hFE) 15 @10A, 6V 23 @10A, 6V -
额定功率(Max) 330 W 330 W -
工作温度(Max) - 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 330000 mW -
正向电压 0.65 V - -
正向电流 10000 mA - -
正向电流(Max) 10000 mA - -
封装 TO-220 M-177 -
高度 8.2 mm - -
材质 - Silicon -
工作温度 200℃ (TJ) 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -
ECCN代码 - EAR99 -