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IRFS7530TRLPBF、NVB5860NLT4G、NTB5860NT4G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS7530TRLPBF NVB5860NLT4G NTB5860NT4G

描述 INFINEON  IRFS7530TRLPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 195A, TO-263AB-3N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorN沟道功率MOSFET N-Channel Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

通道数 1 1 -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 375 W 283 W -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 295A 220A 169A

上升时间 141 ns 58 ns -

输入电容(Ciss) 13703pF @25V(Vds) 13216pF @25V(Vds) -

下降时间 104 ns 144 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 375 W 283W (Tc) -

额定功率 375 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.00165 Ω - -

阈值电压 3.7 V - -

漏源击穿电压 60 V - -

长度 10.67 mm 10.29 mm -

宽度 9.65 mm 9.65 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

材质 Silicon - -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -