IRF540、NTB6411ANT4G、RFP22N10对比区别

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型号 IRF540 NTB6411ANT4G RFP22N10

描述 N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO- 220 / TO- 220FI功率MOSFET N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFETN 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor22A ， 100V ， 0.080 Ohm的N通道功率MOSFET 22A, 100V, 0.080 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

无卤素状态 - Halogen Free -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 49.0 mΩ 14 mΩ 80.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 85W (Tc) 217 W 100W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 22.0 A 72.0 A 22.0 A

上升时间 45 ns 144 ns -

输入电容(Ciss) 870pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 188 W -

下降时间 20 ns 157 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 85W (Tc) 217W (Tc) 100W (Tc)

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 22.0 A - 22.0 A

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

长度 - 10.29 mm -

宽度 - 9.65 mm -

高度 - 4.83 mm -

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99