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IXTH30N50L、IXTQ30N50L、IXTT30N50L2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTH30N50L IXTQ30N50L IXTT30N50L2

描述 TO-247 N-CH 500V 30ATO-3P N-CH 500V 30AIXYS SEMICONDUCTOR  IXTT30N50L2  晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-268-3

引脚数 - - 3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 400W (Tc) 400W (Tc) 400 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 30A 30A -

输入电容(Ciss) 10200pF @25V(Vds) 10200pF @25V(Vds) 8100pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.2 Ω

阈值电压 - - 2.5 V

漏源击穿电压 - - 500 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-268-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15