IXTK62N25、IXTT64N25P、IPP200N25N3G对比区别

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型号 IXTK62N25 IXTT64N25P IPP200N25N3G

描述 Trans MOSFET N-CH 250V 62A 3Pin(3+Tab) TO-264Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3Pin(2+Tab) TO-268OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-264-3 TO-268-3 TO-220-3-1

极性 - - N-Channel

耗散功率 390 W 400 W 300 W

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

输入电容(Ciss) 5400pF @25V(Vds) 3450pF @25V(Vds) 7100pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - - 300 W

通道数 1 1 -

漏源极电阻 35 mΩ 49 mΩ -

漏源击穿电压 250 V 250 V -

上升时间 25 ns 23 ns -

下降时间 15 ns 20 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 390W (Tc) 400W (Tc) -

阈值电压 - 5 V -

封装 TO-264-3 TO-268-3 TO-220-3-1

长度 19.96 mm 14 mm -

宽度 5.13 mm 16.05 mm -

高度 26.16 mm 5.1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

香港进出口证 - - NLR