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DTC363EUT106、UNR5227、DTC363EKT146对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC363EUT106 UNR5227 DTC363EKT146

描述 UMT NPN 20V 600mANPN硅外延平面型 Silicon NPN epitaxial planar typeNPN - 预偏压 600mA 20V

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Panasonic (松下) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-323 SOT-323 SOT-23-3

额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V

额定电流 600 mA - 600 mA

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V 20 V

集电极最大允许电流 600mA 600mA 600mA

最小电流放大倍数(hFE) 70 @50mA, 5V - 70 @50mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW - 200 mW

封装 SOT-323 SOT-323 SOT-23-3

产品生命周期 Obsolete Obsolete Not For New Designs

包装方式 Tape - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free