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AUIRFZ44ZS、BUK9230-100B、PSMN015-60BS对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFZ44ZS BUK9230-100B PSMN015-60BS

描述 INFINEON  AUIRFZ44ZS  晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 0.0111 ohm, 10 V, 2 V的TrenchMOS ™逻辑电平FET TrenchMOS⑩ logic level FETNXP  PSMN015-60BS  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0126 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 DPAK TO-263

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0111 Ω - 0.0126 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 80 W - 86 W

阈值电压 2 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 55 V 100 V 60 V

输入电容(Ciss) 1420pF @25V(Vds) 2854pF @25V(Vds) 1220pF @30V(Vds)

工作温度(Max) 175 ℃ 185 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 80W (Tc) 167000 mW 86 W

额定功率 80 W - -

连续漏极电流(Ids) 51A 47A -

上升时间 68 ns 86 ns -

下降时间 41 ns 46 ns -

长度 10.67 mm - 10.3 mm

宽度 11.3 mm - 11 mm

高度 4.83 mm - 4.5 mm

封装 TO-263-3 DPAK TO-263

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant Exempt

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

含铅标准 Lead Free Lead Free -