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IS61QDB21M36A-250B4I、IS61QDB21M36A-250M3L、IS61QDB21M36-250M3LI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61QDB21M36A-250B4I IS61QDB21M36A-250M3L IS61QDB21M36-250M3LI

描述 SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165Pin LFBGASRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165Pin FBGADDR SRAM, 1MX36, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, LFBGA-165

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 165 -

封装 LBGA FBGA-165 LBGA

供电电流 - 1000 mA -

位数 - 36 -

存取时间 - 0.45 ns -

存取时间(Max) - 0.45 ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压 - 1.71V ~ 1.89V -

封装 LBGA FBGA-165 LBGA

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Tray -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - 无铅 -