FDS4410、FDS6690AS、STS11NF30L对比区别

高亮显示差异参数

型号 FDS4410 FDS6690AS STS11NF30L

描述 单N沟道逻辑电平PWM优化PowerTrenchTM MOSFET Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrenchTM MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6690AS  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.6 VN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 10.0 A 10.0 A 11.0 A

漏源极电阻 9.80 mΩ 0.01 Ω 0.0085 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

输入电容 1.34 nF 910 pF -

栅电荷 22.0 nC 16.0 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±18.0 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10.0 A 11.0 A

上升时间 13.0 ns 5 ns 39 ns

输入电容(Ciss) 1340pF @15V(Vds) 910pF @15V(Vds) 1440pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 1 W 2.5 W

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW 2500 mW

针脚数 - 8 -

阈值电压 - 1.6 V 1 V

下降时间 - 6 ns 16 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - - 2.5 W

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.25 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -