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IRF1405Z、IRF1405ZPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1405Z IRF1405ZPBF

描述 TO-220AB N-CH 55V 150AINFINEON  IRF1405ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 55 V, 4.9 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 - 230 W

针脚数 - 3

漏源极电阻 3.70 MΩ 0.0049 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 230W (Tc) 230 W

阈值电压 - 4 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 150A

上升时间 110 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 4780pF @25V(Vds) 4780pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 230 W

下降时间 82 ns 82 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 230W (Tc) 230W (Tc)

额定电压(DC) 55.0 V -

额定电流 75.0 A -

产品系列 IRF1405Z -

漏源击穿电压 55.0V (min) -

长度 - 10.67 mm

宽度 - 4.83 mm

高度 - 16.51 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17