FQP13N50、SPA06N80C3、IXFP12N50P对比区别
型号 FQP13N50 SPA06N80C3 IXFP12N50P
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP13N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 5 VINFINEON SPA06N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3 VN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 500 V 800 V 500 V
额定电流 12.5 A 6.00 A 12.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.33 Ω 0.78 Ω 0.5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 170 W 39 W 200 W
阈值电压 5 V 3 V 5.5 V
输入电容 - - 1.69 nF
栅电荷 - - 29.0 nC
漏源极电压(Vds) 500 V 800 V 500 V
漏源击穿电压 500 V - 500 V
连续漏极电流(Ids) 12.5 A 6.00 A 12.0 A
输入电容(Ciss) 2300pF @25V(Vds) 785pF @100V(Vds) 1830pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 170 W 39 W 200 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 170W (Tc) 39W (Tc) 200W (Tc)
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
上升时间 140 ns 15 ns -
下降时间 85 ns 8 ns -
额定功率 - 39 W -
长度 10.67 mm 10.65 mm 10.66 mm
宽度 4.7 mm 4.85 mm 4.83 mm
高度 16.3 mm 16.15 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2016/06/20
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - -